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图1通过上述的方式，亲再求助选择性刻蚀就得以实现，那么就能进一步地开发不同的结构实现各式各样的光电性能。图2b中，业拒绝type2的光响应度为1.58×103 A/W是type1(1.67×102 A/W)的9.46倍。

随着ALE循环次数进一步增加时，信曝type3和type6的光响应度和光响应时间均有所提升，并在ALE次数为5时达到最优值，即此时为单层/多层MoS2同质结。图45、年人结论以上就是韩国阿加西GeunYoungYeom的心思巧妙的论文了。随着入射光功率降低，何去何光响应度逐渐升高，响应时间逐渐减小，如图3e和3f。

可以看出，胎父躺平当ALE循环次数由0增至3时，type3和type6的光响应度和光响应时间均没有显著变化。只需通过额外的选择性层控制过程来增强光电子性能，亲再求助即可轻玩转各式各样的MoS2同质结，并应用于各种下一代TMDC基光电子器件。

同时，业拒绝作者就光响应度和响应时间比较了近期其他工作者的MoS2光探测器，如图4d和4e。

因此，信曝与没有同质结的MoS2沟道相比，单层/多层MoS2同质结中会有更多的光生载流子。材料方面，年人中国科学院称霸榜单首位，位列世界第一，另外中国科学院大学和清华大学也跻身世界前十，分别位列第5位和第7位。

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